HM4402E参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
N沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
ESD保护、高功率和电流移交能力
|
|
漏源电压VDS
|
20V
|
|
栅源电压VGS
|
10V
|
|
电流ID
|
14A
|
|
电流IDM
|
44A
|
|
导通内阻RDS
|
5mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
SOP-8
|
|
替换型号
|
AO4402/Si4004DY/IRF7456/IRF7457
|
HM4402E概述
HM4402E采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。
HM4402E引脚图/引脚功能
HM4402E典型应用电路图
HM4402E应用领域
● PWM应用
● 负荷开关
