HM4412A参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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30V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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7A
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电流IDM
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28A
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导通内阻RDS
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25.5mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOP-8
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替换型号
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AO4412/APM4412/CEM4412/AP4412/FDS4412/AO4414/ME4414
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HM4412A概述
HM4412A采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON）和低门charge.This设备适用用作负载开关和PWM应用。
HM4412A引脚图/引脚功能
HM4412A应用领域
● 负荷开关
● PWM应用
