HM2300DR参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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20V
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栅源电压VGS
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12V
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电流ID
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8A
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电流IDM
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24A
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导通内阻RDS
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22mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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DFN2*2-6
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替换型号
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AON2406/AON2408/IRLHS6242
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HM2300DR概述
HM2300DR采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON），低栅极电荷和操作闸电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。无铅产品，表面贴装型封装。
HM2300DR应用领域
● 电池保护
● 负荷开关
● 电源管理
