HM12N02D参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道MOSFET
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产品特性
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小型封装、负荷开关
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漏源电压VDS
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20V
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栅源电压VGS
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10V
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电流ID
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12A
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电流IDM
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40A
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导通内阻RDS
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11mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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DFN2*2-6
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替换型号
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AON2406/AON2408/AON2800/IRLHS6242
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