HM4806A参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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双N沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻低，带ESD保护
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漏源电压VDS
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20V
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栅源电压VGS
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10V
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电流ID
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14A
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电流IDM
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44A
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导通内阻RDS
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5mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOP-8
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替换型号
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AO4806
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HM4806A概述
HM4806A采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。良好的稳定性和均匀性，优秀的包装为良好的散热，特殊工艺技术，高ESD能力。
HM4806A引脚图/引脚功能
HM4806A典型应用电路图
HM4806A应用领域
● 电源开关应用
● 负载开关
● 不间断电源
