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HM8810S/A

【品牌】:华之美

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1个

【封装】:SOT26/ TSSOP-8

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制造商: 深圳华之美半导体有限公司 标准包装数: 1000
封装: SOT26/ TSSOP-8 包装: 卷装/管装
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: 双N沟道沟道功率MOSFET

HM8810S/A参数


 
   制造商
  深圳市华之美半导体有限公司
   产品种类
   双N沟道沟道功率MOSFET
   产品特性
  高功率和电流移交能力
   漏源电压VDS
   20V
  栅源电压VGS
  12V
   电流ID
   7A
   电流IDM
   30A
   导通内阻RDS
   18mΩ
   工作温度
  -55°C~ +150°C
   封装
   SOT26/ TSSOP-8
   替换型号
   AO8810/AO8820/AO8822/SSF2418E/SSF2816E


HM8810S/A概述


 

HM8810S采用先进的沟槽技术,提供优良的R DS(ON),低栅极电荷和操作闸电压低至2.5V。这个装置是适合用作一个电池保护或其他开关应用。
 

 

HM8810S/A应用


 
●  电池保护
●  负荷开关
●  电源管理
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