HM4606D参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N型和P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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30V/-30V
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栅源电压VGS
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20V/-20V
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电流ID
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6.5A/-5.1A
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电流IDM
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20A/-20A
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导通内阻RDS
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26mΩ/45mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOP8
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替换型号
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AO4606/AO4603/AO4604/AP4503/AP4501/STM8401
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HM4606D概述
HM4606D采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON）和低栅极电荷。该装置是适合用作负载开关或PWM应用。无铅产品，表面贴装型封装。
HM4606D引脚图/引脚功能
HM4606D应用
● PWM应用
● 负荷开关
● 电源管理
