HM4618参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N型和P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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40V/-40V
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栅源电压VGS
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20V/-20V
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电流ID
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10A/-7.5A
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电流IDM
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40A/-30A
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导通内阻RDS
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16mΩ/30mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOP-8
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替换型号
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AO4618
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HM4618概述
该HM4618采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON）和低栅极电荷。互补的MOSFET可被用于形成一个水平移位高侧切换，并为其他应用程序的主机。
HM4618引脚图/引脚功能
