HM6612D参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N型和P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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12V/-12V
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栅源电压VGS
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12V/-12V
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电流ID
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5A/-5A
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电流IDM
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15A/-15A
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导通内阻RDS
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28mΩ/60mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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DFN2*2-6
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替换型号
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WCM2001
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HM6612D概述
HM6612D采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON）和低栅极电荷。互补的MOSFET可被用于形成一个水平移位高侧切换，并为其他应用程序的主机。无铅产品，表面贴装型封装。
