HM4843参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
双P沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高功率和电流移交能力
|
|
漏源电压VDS
|
-40V
|
|
栅源电压VGS
|
-20V
|
|
电流ID
|
6A
|
|
电流IDM
|
20A
|
|
导通内阻RDS
|
73mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
SOP-8
|
|
替换型号
|
AO4843
|
HM4843概述
该HM4843采用先进的沟槽技术提供优良的R DS（ON）时，该装置是适合用作一个负荷开关和电池保护应用。无铅产品，表面贴装封装。
HM4843引脚图/引脚功能
HM4843应用
● 电池的应用
● 负荷开关
