HM4887参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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双P沟道增强型功率MOSFET
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产品特性
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高密度电池设计超低导通电阻
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漏源电压VDS
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-100V
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栅源电压VGS
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-20V
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电流ID
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4.5A
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电流IDM
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18A
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导通内阻RDS
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85mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOP-8
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替换型号
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AO4887
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HM4887概述
该HM4887采用先进的沟槽技术和设计，提供优良的R DS（ON）低栅极电荷。 它可以在各种各样的应用中。这是ESD抗议。超级高密度的单元设计，先进的加工技术，稳定和强固。
HM4887引脚图/引脚功能
HM4887典型应用电路图
HM4887应用
● 电源管理笔记本电脑
● 便携式设备和电池供电系统
