HM35P03K参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
P沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
高功率和电流移交能力
|
|
漏源电压VDS
|
-30V
|
|
栅源电压VGS
|
-20V
|
|
电流ID
|
-35A
|
|
电流IDM
|
-115A
|
|
导通内阻RDS
|
11.5mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO252
|
|
替换型号
|
SUD45P03/AOD417/AOD4185/AOD4189/AOD413A/SUD35P03/EMB35P03
|
HM35P03K概述
该HM35P03K采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS，低栅极电荷和操作闸电压低至4.5V。无铅产品，表面贴装型封装。
HM35P03K引脚图/引脚功能
HM35P03K应用
● 电池开关
● 负荷开关
● 能源管理
