HM100P03K参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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P沟道增强型MOSFET
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产品特性
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高功率和电流移交能力
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漏源电压VDS
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-30V
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栅源电压VGS
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-20V
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电流ID
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-100A
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电流IDM
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-300A
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导通内阻RDS
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6mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO252
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替换型号
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AOD4185/AOD4189/AOD413A/SUD100P03/EMB100P03
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HM100P03K概述
该HM100P03K采用先进的沟槽技术，提供优良的R DS（ON）时，该装置是适于用作负荷开关或电源管理。无铅产品，表面贴装型封装。
HM100P03K引脚图/引脚功能
HM100P03K应用
● 电源管理
● 负荷开关
