HM50N06A参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
N沟道增强型功率MOSFET
|
|
产品特性
|
超低Rd，超高密度电池设计、高EAS
|
|
漏源电压VDS
|
60V
|
|
栅源电压VGS
|
20V
|
|
电流ID
|
50A
|
|
电流IDM
|
200A
|
|
导通内阻RDS
|
14mΩ
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO-220
|
|
替换型号
|
STP50N06/IRFZ44N/SUD50N06/SSF6808/AP50N06/PHD50N06/FQP50N06/FTD50N06
|
HM50N06A概述
HM50N06A采用先进的沟槽技术设计，以提供具有低栅极电荷的优秀的R DS（ON）。 它可用于各种应用。超低Rd、超高密度电池设计，完全表征的雪崩电压和电流，良好的稳定性和均匀性，高EAS，优良的封装，散热性好，高ESD能力的特殊工艺技术。
HM50N06A引脚图/引脚功能
HM50N06A典型应用电路图
HM50N06A应用
● 电源开关应用
● 硬开关和高频电路
● 不间断电源
