HM16N50/F参数
|
制造商
|
深圳市华之美半导体有限公司
|
|
产品种类
|
500V N沟道MOSFET
|
|
产品特性
|
低栅极电荷、提高dv/dt 能力
|
|
漏源电压VDS
|
500V
|
|
栅源电压VGS
|
30V
|
|
电流ID
|
16A
|
|
电流IDM
|
64A
|
|
导通内阻RDS
|
0.3Ω
|
|
工作温度
|
-55°C~ +150°C
|
|
封装
|
TO-220/TO-220F
|
|
替换型号
|
FQP16N50/FQN16N50/UTC16N50/STP16N50
|
HM16N50/F概述
HM16N50/F该功率MOSFET采用SL半导体先进的平面条DMOS技术。这种先进的技术已经特别定制最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并承受高能脉冲雪崩和换向模式。 这些设备都很好适用于高效率开关电源，基于半桥的有源功率因数校正拓扑。
HM16N50/F引脚图/引脚功能
