HM18N50A HM18N50F参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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500V N沟道MOSFET
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产品特性
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低栅极电荷、高坚固性、提高dv/dt 能力
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漏源电压VDS
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500V
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栅源电压VGS
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30V
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电流ID
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18A
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电流IDM
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64A
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导通内阻RDS
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0.24Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-3P/TO-220F
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替换型号
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FQP18N50/FQN18N50/UTC18N50/STP18N50
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HM18N50A HM18N50F概述
HM18N50A HM18N50F该功率MOSFET采用Maple半导体先进的平面条DMOS技术。这种先进的技术已经特别定制以最小化导通状态电阻，提供卓越的开关性能，并承受高能脉冲雪崩和换向模式。 这些设备都很好适用于高效率开关电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。
HM18N50A HM18N50F引脚图/引脚功能
