HMS8N60/F/K/I参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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N沟道超结功率MOSFET
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产品特性
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优异的栅极电荷、导通电阻非常低
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漏源电压VDS
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600V
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栅源电压VGS
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30V
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电流ID
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8A
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电流IDM
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24A
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导通内阻RDS
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480mΩ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO-220/TO-220F/TO-252/TO-251
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替换型号
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IPP60R600/IPA60R600/IPP60R520/IPA60R520
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HMS8N60/F/K/I概述
HMS8N60/F/K/I该系列器件采用先进的超结技术和设计提供优异的R DS（ON）低栅极电荷。 这种超结MOSFET适合行业AC-DC SMPS要求为PFC，AC / DC电源转换和工业电源应用。高压设备的新技术，低导通电阻和低导通损耗，超低门极电荷导致较低的驱动要求，100％雪崩测试，符合ROHS标准，小包装。
HMS8N60/F/K/I引脚图/引脚功能
HMS8N60/F/K/I应用
● 功率因数校正（PFC）
● 开关电源（SMPS）
● 不间断电源（UPS）
