HM1060E参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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耗散型功率MOSFET
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产品特性
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ESD改进能力、耗尽模式、符合RoHS标准
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漏源电压VDS
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600V
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栅源电压VGS
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20V
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电流ID
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100mA
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电流IDM
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4000mA
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导通内阻RDS
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120Ω
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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SOT-23
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替换型号
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/
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HM1060E引脚图/引脚功能
HM1060E应用
● 常开开关
● SMPS启动电路
● 线性放大器
● 转换器
● 恒流源
● 电信
