HM2006参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC
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产品特性
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输出源/漏极电流能力、独立逻辑输入
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工作电压
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11V-30V/高端工作电压100V
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静态电流
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4.5mA
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I/O拉电流
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0.8A
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I/O灌电流
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1A
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上升时间
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400nS
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开延时
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300nS
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工作温度
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-40°C~ +85°C
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封装
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SOP-8
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替换型号
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/
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HM2006概述
HM2006是基于P_SUB P_EPI工艺的高压，高速功率MOSFET和IGBT驱动器。浮动通道驱动器可用于独立驱动两个N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达120 V.逻辑输入与 标准CMOS或LSTTL输出，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，设计用于最小驱动器交叉导通。传播延迟匹配，以简化在高频应用中的使用。它有两个版本HM2006A和HM2006B。
HM2006引脚图/引脚功能
HM2006应用
● 中小功率电机驱动器
● 功率MOSFET或IGBT驱动器
