HM2101B参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC
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产品特性
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输出源/漏极电流能力、独立逻辑输入
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工作电压
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10V-20V/高端工作电压600V
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静态电流
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150uA
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I/O拉电流
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0.4A
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I/O灌电流
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0.9A
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上升时间
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90nS
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开延时
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20nS
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工作温度
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-40°C~ +85°C
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封装
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SOP-8
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替换型号
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IR2101/IR2106/IR2308
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