HM2117参数
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制造商
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深圳市华之美半导体有限公司
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产品种类
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半桥输出大功率MOS管/IGBT驱动IC
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产品特性
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输出源/漏极电流能力、独立逻辑输入
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工作电压
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3V-30V
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静态电流
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2mA
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I/O拉电流
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1A
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I/O灌电流
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1.2A
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上升时间
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80nS
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开延时
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200nS
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工作温度
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-40°C~ +85°C
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封装
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SOP-8
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替换型号
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IR2117
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HM2117概述
HM2117是一款单通道高性价比的功率MOSFET管或大功率双极性晶体管门极或基极驱动专用芯片，内部集成了输入逻辑信号处理电路、SD快速关断处理电路及大电流输出驱动电路，专用于电源转换器及电机控制器等的功率MOSFET管驱动器。HM2117电源电压范围宽3V～30V，静态功耗低仅2mA，输出结构具有独立的源出电流OUTD端和吸入电流OUTS端引脚，可以用来独立地调节输入到MOSFET管G极的上升沿时间和下降沿时间。
HM2117引脚图/引脚功能
