CS60N04 C4参数
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制造商
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无锡华润华晶微电子有限公司
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产品种类
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硅N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低导通电阻、低反向传输电容
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电流ID
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55A
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源极电压VDSS
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60V
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耗散功率
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150W
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导通内阻RDS
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0.01Ω
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工作温度
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-55°C~ +175°C
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封装
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TO-252
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替换型号
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/
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CS60N04 C4概述
CS60N04 C4，硅N沟道增强型VDMOSFET，通过自对准平面技术获得，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。晶体管可用于各种功率开关电路，用于系统小型化和更高的效率。封装形式为TO-252，符合RoHS标准。
CS60N04 C4应用领域
● 适配器和充电器的电源开关电路
