CS6N10 AE-G参数
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制造商
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无锡华润华晶微电子有限公司
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产品种类
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硅N沟道功率MOSFET
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产品特性
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低导通电阻、低反向传输电容
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电流ID
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6A
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源极电压VDSS
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100V
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导通内阻RDS
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0.025Ω
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工作温度
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-55°C~ +175°C
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封装
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SOP8
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替换型号
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/
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