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CS120N08 AR

【品牌】:华润华晶

【单价】:请询价

【库存交期】:1周

【最小起订量】:1个

【封装】:TO-262

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制造商: 无锡华润华晶微电子有限公司 标准包装数: 1000
封装: TO-262 包装:
类别: 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET 无铅情况/RoHS: 符合
产品描述: 硅N沟道功率MOSFET

CS120N08 AR参数
 

   制造商
  无锡华润华晶微电子有限公司
   产品种类
   硅N沟道功率MOSFET
   产品特性
  低导通电阻、低反向传输电容
   电流ID
   120A
  源极电压VDSS
  85V
   导通内阻RDS
   0.0075Ω
   工作温度
  -55°C~ +175°C
   封装
   TO-262
   替换型号
   /


CS120N08 AR概述
 

CS120N08 AR是硅N沟道增强型VDMOSFET,采用先进的沟槽技术,可降低导通损耗,提高开关性能,提高雪崩能量。晶体管可用于各种功率开关电路,用于系统小型化和更高的效率。包装形式为TO-262,符合RoHS标准。
 

CS120N08 AR应用领域

 
●   适配器和充电器的电源开关电路
 



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