描述
NCE70N100I采用先进的沟槽技术和设计，提供极低的栅极充电。它可以用于各种各样的应用程序。
一般特征
V DS = 100V,I D =57A。
R DS()< 16 m ?@ vgs =10V (Typ:12m?)
具有高ESD能力的特殊工艺技术。
●设计超低Rdson高密度细胞
充分描述雪崩电压和电流。
具有良好的稳定性和均匀性。
●优异的散热方案好
应用程序
●功率切换应用程序
硬开关和高频电路。
●不间断电源
| 制造商： | 无锡新洁能股份有限公司 | 标准包装数： | 3000 |
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| 封装： | TO-251 | 包装： | |
| 类别： | 分立器件 » 三极管/晶体管 » MOSFET | 无铅情况/RoHS： | 符合 |
| 产品描述： | |||
| 参数 | 数值 |
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