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ME8311ASG |
南京微盟电子有限公司 |
原边反馈,内置1A 600V MOS,无431和光耦,恒压与恒流控制,待机功耗小于30mW,PFM控制模式,自带线损补偿3%精度,(母体芯片8310) |
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ME8119D8G |
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ME8111AD8G |
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ME8102D8G |
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ME8117D8G |
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ME8115D8G |
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ME8316ASG |
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原边反馈,外推MOS,无431和光耦,恒压与恒流控制,待机功耗小于30mW,PWM控制模式,高功率因数>0.9, 3%精度 |
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ME8316CSG |
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原边反馈,外推MOS,无431和光耦,恒压与恒流控制,待机功耗小于30mW,PWM控制模式,高功率因数>0.9, 3%精度 |
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ME8320AM6G |
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恒压与恒流控制,有线损补偿,待机功耗小于60mW |
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ME8316DSG |
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原边反馈,外推MOS,无431和光耦,恒压与恒流控制,待机功耗小于30mW,PWM控制模式,高功率因数>0.9, 3%精度 |
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ME8121AD7G |
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电流模式准谐振PWM控制器 |
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ME8321AS7G |
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可实现100mW待机功耗、±5%的CC和CV精度、带线损补偿、内置的前沿消隐、逐周期电流限制、内置软启动、良好的保护和自恢复功能 |
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ME8200M6G |
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频率抖动功能,频率外置电阻可调,待机功耗小于300mW,LEB,内置OCP补偿,OVP,OTP保护,30W以下LED灯具可做隔离和不隔离等条灯方案 |
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ME8110D8G |
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内置650VMOS频率抖动功能,待机功耗小于100mW,内置OCP补偿,OVP,18W以下次级反馈,平均效率很高 |
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ME8110BD8G |
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内置650VMOS频率抖动功能,待机功耗小于100mW,内置OCP补偿,OVP,18W以下次级反馈,平均效率很高 |
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ME8107CD8G |
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内置2A/600V MOS,频率抖动功能,待机功耗小于100mW,内置OCP补偿,OVP锁住功能,设计时需要注意VCC电压不要达到25V,15W以下次级反馈 缺点内部没有过温保护,优点6脚为空脚可增加高压与低压的 |
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ME8107CD7G |
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内置2A/600V MOS,频率抖动功能,待机功耗小于100mW,内置OCP补偿,OVP锁住功能,设计时需要注意VCC电压不要达到25V,15W以下次级反馈 缺点内部没有过温保护,优点6脚为空脚可增加高压与低压的 |
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ME8109BD8G |
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内置600VMOS,频率抖动功能,待机功耗小于100mW,内置OCP补偿,OVP过压锁住,18W以下次级反馈 缺点内部没有过温保护 |
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ME8107BD8G |
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内置2A/600V MOS,频率抖动功能,待机功耗小于100mW,内置OCP补偿,OVP锁住功能,设计时需要注意VCC电压不要达到25V,15W以下次级反馈 缺点内部没有过温保护,优点6脚为空脚可增加高压与低压的 |
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ME8107BD7G |
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内置2A/600V MOS,频率抖动功能,待机功耗小于100mW,内置OCP补偿,OVP锁住功能,设计时需要注意VCC电压不要达到25V,15W以下次级反馈 缺点内部没有过温保护,优点6脚为空脚可增加高压与低压的 |
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