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BLH4901B |
上海贝岭股份有限公司 |
硅外延NPN晶体管、高频、低噪声 |
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2周 |
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BLH3356 |
上海贝岭股份有限公司 |
硅外延NPN晶体管、高频、低噪声 |
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3000 |
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BLH3355 |
上海贝岭股份有限公司 |
硅外延NPN晶体管、高频、低噪声 |
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BLH4083 |
上海贝岭股份有限公司 |
硅外延NPN晶体管、高频、低噪声 |
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BLH4083B |
上海贝岭股份有限公司 |
硅外延NPN晶体管、高频、低噪声 |
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3000 |
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BLM3401 |
上海贝岭股份有限公司 |
p沟道增强型功率MOSFET、高功率和电流处理能力 |
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2500 |
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BLH3356B |
上海贝岭股份有限公司 |
高频双极NPN晶体管 |
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2周 |
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3000 |
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MEM2310-N |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管;N沟道增强型、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
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MEM2318 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管；N沟道增强型、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
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MEM2306 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管；极低的栅极电荷、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
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MEM2302-N |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、N沟道增强型、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
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