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HM15N120T |
深圳市华之美半导体有限公司 |
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1周 |
1000 |
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立刻询价 >
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HM15N120A |
深圳市华之美半导体有限公司 |
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1周 |
1000 |
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立刻询价 >
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PZT4033 |
台湾友顺科技集团公司 |
PNP硅晶体管 |
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4~6周 |
2000 |
0 |
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立刻询价 >
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HM13009 |
深圳市华之美半导体有限公司 |
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1周 |
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立刻询价 >
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HM13007 |
深圳市华之美半导体有限公司 |
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1000 |
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立刻询价 >
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HM13005 |
深圳市华之美半导体有限公司 |
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1周 |
1000 |
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立刻询价 >
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HM13003 |
深圳市华之美半导体有限公司 |
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1000 |
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立刻询价 >
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HM13001 |
深圳市华之美半导体有限公司 |
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1周 |
1000 |
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2SD1898 |
台湾友顺科技集团公司 |
功率晶体管 |
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4~6周 |
2000 |
0 |
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立刻询价 >
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2SB1260 |
台湾友顺科技集团公司 |
功率晶体管 |
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4~6周 |
2000 |
0 |
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BLV108 |
上海贝岭股份有限公司 |
N沟纵向MOSSFET、N沟道增强型VDMOS |
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2周 |
2500 |
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立刻询价 >
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BLV2N60 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管;N沟道增强型功率MOSFET |
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2周 |
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BLV1N60A |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管、N沟道增强型功率MOSFET |
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2500 |
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BLV1N60 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管、N沟道增强型功率MOSFET |
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2周 |
2500 |
2500 |
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BLV840 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管、N沟道增强型功率MOSFET |
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2周 |
2500 |
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立刻询价 >
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BLV740 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管、N沟道增强型功率MOSFET |
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2周 |
2500 |
2500 |
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BLV730 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管；N沟道增强型功率MOSFET |
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2周 |
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BLV88N30 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管；N沟道增强型功率MOSFET |
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2周 |
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BLV640 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管；N沟道增强型功率MOSFET |
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2周 |
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BLV40N20 |
上海贝岭股份有限公司 |
金属氧化物半导体场效应管；N沟道增强型功率MOSFET |
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2周 |
2500 |
2500 |
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