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MMBT2907A |
台湾友顺科技集团公司 |
PNP硅晶体管 |
文档下载 |
4~6周 |
2000 |
0 |
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立刻询价 >
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NCE55P15F |
无锡新洁能股份有限公司 |
P-55V Trench MOSFET |
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2-4周 |
3000 |
3000 |
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立刻询价 >
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NCE2303 |
无锡新洁能股份有限公司 |
P-30V Trench MOSFET |
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2-4周 |
2500 |
2500 |
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立刻询价 >
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MPSA55 |
台湾友顺科技集团公司 |
晶体管放大器 |
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4~6周 |
2000 |
0 |
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立刻询价 >
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NCE70G1K2F* |
无锡新洁能股份有限公司 |
700V SJ-MOS Ⅱ |
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2-4周 |
3000 |
3000 |
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立刻询价 >
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NCE70G1K2K* |
无锡新洁能股份有限公司 |
700V SJ-MOS Ⅱ |
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2-4周 |
3000 |
3000 |
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立刻询价 >
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NCE70G540* |
无锡新洁能股份有限公司 |
700V SJ-MOS Ⅱ |
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2-4周 |
3000 |
3000 |
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立刻询价 >
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NCE70G540F* |
无锡新洁能股份有限公司 |
700V SJ-MOS Ⅱ |
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2-4周 |
3000 |
3000 |
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立刻询价 >
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NCE70G540K* |
无锡新洁能股份有限公司 |
700V SJ-MOS Ⅱ |
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2-4周 |
3000 |
3000 |
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立刻询价 >
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NCE80R900F |
无锡新洁能股份有限公司 |
800V SJ-MOS Ⅱ |
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2-4周 |
3000 |
3000 |
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立刻询价 >
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MPSA05 |
台湾友顺科技集团公司 |
晶体管放大器 |
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4~6周 |
2000 |
0 |
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立刻询价 >
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2SD1804 |
台湾友顺科技集团公司 |
NPN硅晶体管 |
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4~6周 |
2000 |
0 |
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立刻询价 >
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2SA2016 |
台湾友顺科技集团公司 |
PNP外延平面 晶体管 |
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4~6周 |
3000 |
0 |
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立刻询价 >
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PN10HN60 |
无锡芯朋微电子股份有限公司 |
N沟道超结MOSFET |
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2-4周 |
3000 |
3000 |
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立刻询价 >
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2SC5569 |
台湾友顺科技集团公司 |
NPN硅晶体管 |
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4~6周 |
3000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2310 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、N沟道增强型、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2313 |
南京微盟电子有限公司 |
双P沟道增强型功率MOSFET |
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2-4周 |
3000 |
3000 |
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立刻询价 >
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MEM2303-N |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2300 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、超大密度单元、极小的RDS(ON)、超小封装 |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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立刻询价 >
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MEM2313 |
南京微盟电子有限公司 |
金属氧化层半导体场效应晶体管、极低的栅极电荷、超大密度单元、极小的RDS(ON) |
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20-30天 |
1000 |
0 |
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