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ME6221 |
南京微盟电子有限公司 |
CMOS低压差线性稳压器；高精度、低静态电流、高纹波抑制、低的温度调整系数 |
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ME6119 |
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CMOS低压差线性稳压器；高精度、低静态电流、高纹波抑制、低的温度调整系数 |
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ME6118 |
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CMOS低压差线性稳压器；高精度、低静态电流、高纹波抑制、低的温度调整系数 |
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ME6219 |
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CMOS低压差线性稳压器；高精度、低静态电流、高纹波抑制、低的温度调整系数 |
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ME6217 |
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CMOS低压差线性稳压器；高精度、低功耗、输入稳定性好、低的温度调整系数 |
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ME6216 |
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CMOS低压差线性稳压器 ；高精度、高纹波抑制比、低功耗、大电流小压差 |
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ME6213 |
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CMOS低压差线性稳压器;高精度、低功耗、输入稳定性好、低的温度调整系数 |
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ME6211 |
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CMOS低压差线性稳压器;高精度、低功耗、输入稳定性好、低的温度调整系数 |
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ME6207 |
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CMOS低压差线性稳压器;高精度、低功耗、输入稳定性好、低的温度调整系数 |
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ME8401ASG |
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推MOS管，BOOST模式，PFM控制模式，外加PWM驱动可做300W以下开关电源功率因数校正IC，90W以下单级PFCLED驱动。 |
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ME8100ATG |
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次边反馈，PFM变频模式，外推700V三极管，300mW低待机功耗。 A=400mA B=800mA |
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ME8105D7G |
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次边反馈，轻载变频模式，满载外置电容可调频率，300mW低待机功耗，小家电原边稳压控制，内置700V三极管 可做原边省431和光藕 应用 ，缺点，高代压输入过流保护差较大 |
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ME8311AS7G |
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原边反馈，内置1A 600V MOS，无431和光耦，恒压与恒流控制，待机功耗小于30mW,PFM控制模式，自带线损补偿3%精度,(母体芯片8310) |
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ME8316BSG |
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原边反馈，外推MOS，无431和光耦，恒压与恒流控制，待机功耗小于30mW,PWM控制模式，高功率因数>0.9， 3%精度 |
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ME8311ASG |
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原边反馈，内置1A 600V MOS，无431和光耦，恒压与恒流控制，待机功耗小于30mW,PFM控制模式，自带线损补偿3%精度,(母体芯片8310) |
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ME8119D8G |
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ME8111AD8G |
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ME8102D8G |
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