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MCRN100-8 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
工作和存储结温范围:-55℃~+150℃ |
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1~2周 |
1020 |
0 |
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立刻询价 >
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MCRN100-6 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
工作和存储结温范围:-55℃~+150℃ |
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1~2周 |
1021 |
0 |
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BT136S |
深圳市金誉半导体有限公司 |
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1~2周 |
1022 |
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BTB12 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
高浪涌电流能力 |
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1~2周 |
1023 |
0 |
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BTB06 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
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1~2周 |
1024 |
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MAC97A8 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
阻断电压为600 V |
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1~2周 |
1025 |
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MAC97A6 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
阻断电压为400 V |
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1~2周 |
1026 |
0 |
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BT137S |
深圳市金誉半导体有限公司 |
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1~2周 |
1027 |
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BTB04 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
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1~2周 |
1028 |
0 |
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BT136 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
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1~2周 |
1029 |
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2N7002 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
N沟道增强型MOSFET |
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1~2周 |
1030 |
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2N7002T |
深圳市金誉半导体有限公司 |
高饱和电流能力 |
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1~2周 |
1031 |
0 |
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立刻询价 >
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SI2305 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
沟道场效应管功率MOSFET |
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1~2周 |
1032 |
0 |
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AO3401A |
深圳市金誉半导体有限公司 |
低的RDS（ON）呈导通电阻和最大直流电流能力 |
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1~2周 |
1033 |
0 |
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Q9435 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
提供优异的RDS（ON），直通免疫力，体二极管特性和超低栅极抵抗性 |
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1~2周 |
1034 |
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立刻询价 >
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Q4435 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
提供优异的RDS（ON），直通免疫力，体二极管特性和超低栅极抵抗性 |
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1~2周 |
1035 |
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Q4410 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
电池开关 |
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1~2周 |
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Q4407* |
深圳市金誉半导体有限公司 |
低电阻、低RDS（ON） |
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1~2周 |
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0 |
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Q4406* |
深圳市金誉半导体有限公司 |
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1~2周 |
1038 |
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L3415 |
深圳市金誉半导体有限公司 |
低栅极电荷 |
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1~2周 |
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