NCE15GD120T参数
制造商 |
无锡新洁能股份有限公司 |
产品种类 |
IGBT晶体管 |
产品特性 |
1200V,15A,沟道IGBT NPT |
技术 |
沟 NPT |
集电极、发射极间电压(最大)@25℃ |
1200V |
功率耗散(最大)@25℃ |
220W |
栅极发极间电压(最大) |
30V |
饱和压降(典型值)(15V) |
2V |
封装 |
TO247 |
NCE15GD120T概述
采用先进的沟槽技术不扩散核武器条约,NCE的1200V IGBT的提供优越的传导和开关性能,易并联运行,出色的雪崩坚固性。该器件是专为软开关应用。
NCE15GD120T引脚图/引脚功能

应用领域
• 感应加热,微波炉,逆变器,UPS等
• 软开关应用
NCE15GD120T典型效率曲线
