2N80Z参数
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制造商
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台湾友顺科技集团公司
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产品种类
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2A，800V N沟道功率MOSFET
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产品特性
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高开关速度
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电压VDSS
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800V
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电流ID
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2.4A
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电流IDM
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9.6A
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雪崩能力EAS
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180mJ
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工作温度
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-55°C~ +150°C
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封装
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TO220/TO220F/TO220F1/ TO251/ TO252
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替换型号
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/
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2N80Z概述
2N80Z是UTC使用N沟道型功率MOSFET的UTC的先进技术，以提供的costumers条状和DMOS技术。该技术是专门从事允许最低通态电阻和出色的开关性能。 它也能承受高能量脉冲雪崩和换流模式。该UTC2N80Z在高效率开关普遍应用模式电源。
2N80Z引脚图/引脚功能
2N80Z典型应用电路图
